美國專利審理與救濟委員會之行政法官違憲?2021年最高法院U.S. v. Arthrex, Inc.案
楊智傑/北美智權報 專欄作家
(本文作者為雲林科技大學科技法律研究所教授)
自從美國專利複審制度引進後,許多專利權人的專利都在複審程序中被宣告無效。因此,陸續有人在法院中質疑,複審程序違反憲法。2021年6月21日,美國最高法院做出U.S. v. Arthrex, Inc.案,認為行政專利法官做出的決定不受上級監督,確實違憲,並提出解決違憲問題的建議。美國專利商標局在6月29日也立刻宣布遵從最高法院建議,對複審決定提供「請求再開聽證」的機會。
美國專利審理救濟委員會與行政專利法官
2012年後,美國專利審理救濟委員會(Patent Trail and Appeal Board)的複審程序可認定專利無效,此一委員會的成員,乃是美國法上特殊的行政專利法官(administrative patent judge)。
近年來,被複審程序認定專利無效的專利權人,都想要主張整個複審程序是違憲的。第一波質疑的是認為,專利無效的問題應該由美國憲法第3條的法官來決定,而非由專利審理救濟委員會的行政專利法官決定。但第一波挑戰卻失敗,2018年底美國最高法院在Oil States Energy Services v. Greene's Energy Group案認為,專利屬於「公權利」,可以由行政部門來決定其爭議。
在1997年的 Edmond v. United States案中,最高法院曾說,必須由總統提命、參議院同意任命之其他人,對下級官員行使某程度的指揮與監督。
該案涉及由交通部長任命的海防刑事上訴法院(Coast Guard Court of Criminal Appeals)之法官。最高法院當時認為,這些法官屬於下級官員,因為他們乃由行政部門中總統提名、參議院同意任命之若干官員,行使有效的監督。最高法院認為重要的是,如果沒有得到其他行政官員的同意,這些法官沒有權力代表美國聯邦做出最終決定。
行政專利法官之決定不受行政審查與監督
但是,本案中的行政專利法官,卻沒有受到這種上級行政官員的審查。雖然專利商標局長有行政監督的工具,但是,專利商標局長和其他上級長官,都沒辦法直接審查行政專利法官所為的複審決定。甚至,在專利法第6條(c),規定只有專利審理救濟委員會自己可以同意再開聽證(may grant rehearings)。這一限制,讓專利商標局長對行政專利法官所為之複審決定,既無從進行監督,也不用為其負責。
半導體材料歷經三個發展階段,第一代是矽(Si)等基礎功能材料;第二代進入由兩種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表;第三代則是氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙(Wide Band Gap,WBG)化合物半導體材料。從應用面來看,第三代化合物半導體在通訊元件及功率元件的發展機會最大。在通訊方面,5G通訊基地台的功率元件已採用GaN,未來手機終端的RF射頻、6G通訊的太赫茲高頻通訊等,GaN依舊會是主流。雖然GaN已應用於消費性電子的功率元件,但在車用電子方面,SiC因散熱好,可承受高溫、高電壓等更嚴苛環境,將被寄予厚望。
因為當前全球碳化矽基板供應集中在美國Cree手上,但Cree不願意單獨販售碳化矽基板,導致市場上氮化鎵產品不夠普及。在碳化矽基板難以取得之際,正在開發碳化矽基板的環球晶成為宏捷科順利量產碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)產品的最大助力。不僅如此,透過環球晶、宏捷科上下游關係的互補效應,加上宏捷科與終端客戶應用的驗證,環球晶更加了解市場動態而能提供更符合客戶需求的晶圓產品。此重要布局可望在電動車與5G應用等兩大產業趨勢帶動下嶄露商機。
環球晶目前在化合物半導體的佈局有三大主軸,包括矽基氮化鎵(GaN on Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)以及碳化矽(SiC)。GaN on Si目前已有6吋量產能力,GaN on SiC由於製程難度較高、目前只能做到4吋,SiC產能則在取得認證中。台廠材料端除環球晶表現最為亮眼之外,漢磊投控旗下磊晶矽晶圓廠嘉晶則具備4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶量產能力。
半導體產業中,通常備妥基板和磊晶(具有磊晶的晶圓)供應給晶片製造商、IC設計公司及IDM(垂直整合製造)廠商。但目前氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等第三代化合物半導體產品遇到的瓶頸,在基板和磊晶兩個環節,除基板成本高昂外,由於材料端的基板、磊晶製程難度高而無法放量生產,使市場上供應量不足,是一大挑戰。例如磊晶過程因材料的特殊性而不易控制;此外,矽基氮化鎵(GaN on Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)等異質磊晶結構製程是要將氮化鎵磊晶長在矽或碳化矽晶圓基板上,但晶格不匹配問題易產生翹曲,亦為製程上的困難之一。
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